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IRF7309PBF
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Produktcode: 36562
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar 466 Stück:
25 Stück - stock Köln
441 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
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Technische Details IRF7309PBF IR
- MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:NP
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:4A
- On State Resistance:0.05ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Cont Current Id N Channel 2:4A
- Cont Current Id P Channel:3A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance N Channel:0.05ohm
- Max On State Resistance P Channel:0.1ohm
- Max Voltage Vds:30V
- Max Voltage Vds P Channel:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:2
- Pin Configuration:c
- Pin Format:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- Power Dissipation:1.4W
- Power Dissipation P Channel 2:1.4W
- Power Dissipation Pd:1.4W
- Pulse Current Idm:16A
- Pulse Current Idm N Channel 2:16A
- Pulse Current Idm P Channel:12A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7309
Weitere Produktangebote IRF7309PBF nach Preis ab 1.61 EUR bis 2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IRF7309PBF | Hersteller : IR |
![]() |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7309PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
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![]() |
IRF7309PBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7/16.7nC Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
MSP430F149IPMR Produktcode: 123301 |
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Hersteller: TI
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: LQFP-64
Kurzbeschreibung: 16-bit Microcontrollers - MCU 60 kB Flash 2KB RAM 12b ADC-2 USART-HW
Strom, V: 1,8...3,6 V
Betriebstemperatur, °С: MSP430
Austauschbar: 16-Bit
Bemerkung: 8MHz
Робоча температура, °С: -40...+85°C
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: LQFP-64
Kurzbeschreibung: 16-bit Microcontrollers - MCU 60 kB Flash 2KB RAM 12b ADC-2 USART-HW
Strom, V: 1,8...3,6 V
Betriebstemperatur, °С: MSP430
Austauschbar: 16-Bit
Bemerkung: 8MHz
Робоча температура, °С: -40...+85°C
auf Bestellung 88 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)USBB-1J (KLS1-151-W) Produktcode: 63039 |
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: Steckdose USB Typ B auf Platte
Typ: USB
Stecker/Steckdose: Steckdose
№ 5: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: Steckdose USB Typ B auf Platte
Typ: USB
Stecker/Steckdose: Steckdose
№ 5: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
verfügbar: 2087 Stück
erwartet:
40 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.2 EUR |
10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.14 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
IRF7103TRPBF Produktcode: 19112 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Rds(on), Ohm: 0.13
Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.290
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 392 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.3 EUR |
10+ | 0.28 EUR |
100+ | 0.25 EUR |
BZV55-C6V8 Produktcode: 30129 |
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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 1611 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.028 EUR |
1000+ | 0.018 EUR |