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NSBA123JDXV6T5 ONSEMI ONSMS11512-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBA123JDXV6T5 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 32000 Stücke:
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NSBA115TF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0002809219-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA115TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 48000 Stücke:
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NSBA144EDXV6T5 ONSEMI ONSMS11512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA144EDXV6T5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NSBA123JDP6T5G ONSEMI ONSM-S-A0003167472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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NSBA113EF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0002809032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114YDP6T5G ONSEMI RE_DSHEET_NSBA114YDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA143ZDXV6T1G ONSEMI RE_DSHEET_NSBA143ZDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA143ZDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114TF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0002809200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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NSBA143ZF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0002809127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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NSBA123JF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 472000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA144WDP6T5G ONSEMI DTA144WD-D.PDF Description: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114YF3T5G ONSEMI RE_DSHEET_NSBA114YF3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 447554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA124EDP6T5G ONSEMI ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114EF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 221500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA143ZDP6T5G ONSEMI ONSM-S-A0005492815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MM3Z20VT1G MM3Z20VT1G ONSEMI 1876691.pdf Description: ONSEMI - MM3Z20VT1G - Zener-Diode, 20 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NZ9F20VT5G NZ9F20VT5G ONSEMI 2255306.pdf Description: ONSEMI - NZ9F20VT5G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZBZX84C20LT1G SZBZX84C20LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVS1MFL NRVS1MFL ONSEMI 2865875.pdf Description: ONSEMI - NRVS1MFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVS1MFL NRVS1MFL ONSEMI 2865875.pdf Description: ONSEMI - NRVS1MFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
US2MA US2MA ONSEMI US2MA-D.pdf Description: ONSEMI - US2MA - RECTIFIER, 1KV, 1.5A, DO-214AC
tariffCode: 85423990
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 0
Sperrverzögerungszeit: 0
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV3064DR2G NCV3064DR2G ONSEMI 698901.pdf Description: ONSEMI - NCV3064DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 3 bis 40Vin, 1.25V-40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MC74AC00DR2G MC74AC00DR2G ONSEMI 2032142.pdf Description: ONSEMI - MC74AC00DR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74AC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 50mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YDXV6T1G NSBC114YDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G ONSEMI 2907498.pdf Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1G NSBC143ZPDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1G NSBC143ZPDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 907 Stücke:
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NSB1011XV6T5 NSB1011XV6T5 ONSEMI ONSM-S-A0013300468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSB1011XV6T5 - NSB1011XV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA123JF3T5G ONSM-S-A0003071246-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA123JF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 472000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA144WDP6T5G DTA144WD-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA144WDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114YF3T5G RE_DSHEET_NSBA114YF3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 447554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA124EDP6T5G ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA124EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114EF3T5G ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 221500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA143ZDP6T5G ONSM-S-A0005492815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA143ZDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MM3Z20VT1G 1876691.pdf
MM3Z20VT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z20VT1G - Zener-Diode, 20 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NZ9F20VT5G 2255306.pdf
NZ9F20VT5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZ9F20VT5G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZBZX84C20LT1G 2236792.pdf
SZBZX84C20LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVS1MFL 2865875.pdf
NRVS1MFL
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVS1MFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVS1MFL 2865875.pdf
NRVS1MFL
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVS1MFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
US2MA US2MA-D.pdf
US2MA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2MA - RECTIFIER, 1KV, 1.5A, DO-214AC
tariffCode: 85423990
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 0
Sperrverzögerungszeit: 0
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV3064DR2G 698901.pdf
NCV3064DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3064DR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, Boost, invertierend, einstellbar, 3 bis 40Vin, 1.25V-40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MC74AC00DR2G 2032142.pdf
MC74AC00DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC00DR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74AC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 50mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YDXV6T1G ONSM-S-A0013750138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSBC114YDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1706DMW5T1G ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSB1706DMW5T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZDXV6T1G 2907498.pdf
NSBC143ZDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1G ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSBC143ZPDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZPDXV6T1G ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSBC143ZPDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114YDXV6T1G ONSM-S-A0013750138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSBC114YDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB1706DMW5T1G ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSB1706DMW5T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143ZDXV6T1G 2907498.pdf
NSBC143ZDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114EPDP6T5G ONSM-S-A0005492771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114TPDXV6T1G ONSMS25253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114TPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 102500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC143TDXV6T1G ONSMS25224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSB13ANT3G ONSM-S-A0011417182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB13ANT3G - NSB13ANT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC144EPDXV6T5 ONSMS26381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC144EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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