NSBA114YDP6T5G ON Semiconductor
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Technische Details NSBA114YDP6T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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NSBA114YDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
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NSBA114YDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
auf Bestellung 136000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSBA114YDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NSBA114YDP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBA114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NSBA114YDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NSBA114YDP6T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT |
Produkt ist nicht verfügbar |