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Technische Details NSBA123JDP6T5G onsemi
Description: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| NSBA123JDP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NSBA123JDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
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NSBA123JDP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
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NSBA123JDP6T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963 |
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| NSBA123JDP6T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT |
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