Produkte > ONSEMI > NSBC114EPDP6T5G
NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G onsemi


dtc114ep-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 32000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8000+0.11 EUR
16000+ 0.092 EUR
24000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBC114EPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote NSBC114EPDP6T5G nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Hersteller : onsemi DTC114EP_D-2310694.pdf Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.51 EUR
10+ 0.35 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
8000+ 0.086 EUR
24000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Hersteller : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 35620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+0.62 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114EPDP6T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0005492771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 127970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)