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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H ONSEMI NVBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H ONSEMI NTBLS1D1N08H-D.PDF Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV47701PDAJR2G NCV47701PDAJR2G ONSEMI 2255387.pdf Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 350
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 20
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 5
Eingangsspannung, max.: 40
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV8711ASNADJT1G NCV8711ASNADJT1G ONSEMI 3108676.pdf Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 18
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 215
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGBS3040E1-F085 FGBS3040E1-F085 ONSEMI FGBS3040_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G SA575DTBR2G ONSEMI 194954.pdf Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DR2G. SA575DR2G. ONSEMI SA575-D.PDF Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155 FCH060N80-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 ONSEMI FDB16AN08A0-D.pdf Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ ONSEMI FGAF20S65AQ-D.PDF Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QEE123 QEE123 ONSEMI QEE123-D.pdf Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI ONSM-S-A0003584287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 59
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 392
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
GF1J GF1J ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GF1K GF1K ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS15782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GF1K GF1K ONSEMI ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS15782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7NZ34K8X NC7NZ34K8X ONSEMI 2285851.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZ00P5X NC7SZ00P5X ONSEMI 2299570.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC546BTA BC546BTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF6N80T FQPF6N80T ONSEMI FQPF6N80T-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E ONSEMI en2019-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSR0140P2T5G NSR0140P2T5G ONSEMI 2353885.pdf Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33152DR2G NCV33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BCW66GLT1G BCW66GLT1G ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCW66GLT3G BCW66GLT3G ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1A RS1A ONSEMI 1766356.pdf Description: ONSEMI - RS1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1A RS1A ONSEMI ONSM-S-A0013750025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RS1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1AFA RS1AFA ONSEMI RS1AFA-D.PDF Description: ONSEMI - RS1AFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670 FDS2670 ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670 FDS2670 ONSEMI FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP125N60E FCP125N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NUD3105LT1G ONSEMI 2354009.pdf Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
NUD3105LT1G ONSEMI 2354009.pdf Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1323NZ FDZ1323NZ ONSEMI FDZ1323NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ191P FDZ191P ONSEMI 2304274.pdf Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1905PZ FDZ1905PZ ONSEMI FDZ1905PZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ191P FDZ191P ONSEMI 2304274.pdf Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1416NZ FDZ1416NZ ONSEMI FDZ1416NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
RS1D RS1D ONSEMI 2303977.pdf Description: ONSEMI - RS1D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1DFA RS1DFA ONSEMI RS1AFA-D.PDF Description: ONSEMI - RS1DFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP12711ADNR2G NCP12711ADNR2G ONSEMI 3917125.pdf Description: ONSEMI - NCP12711ADNR2G - PWM-Controller, 4.5 bis 40V Versorgungsspannung, 1.25Aout, 1MHz, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZBZX84C3V0LT1G SZBZX84C3V0LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C3V0LT1G - Zener-Diode, 3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ ONSEMI 2572508.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7NZ34K8X NC7NZ34K8X ONSEMI 2285851.pdf Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BC549BTA ONSEMI 2299482.pdf Description: ONSEMI - BC549BTA - TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0469
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD852SD FOD852SD ONSEMI 1727610.pdf Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
CTR, min.: 1000%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 50mA
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD852 FOD852 ONSEMI 2303886.pdf Description: ONSEMI - FOD852 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
CTR, min.: 1000%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV33204DR2G NCV33204DR2G ONSEMI ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV33204DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NLVHC1G00DFT2G NLVHC1G00DFT2G ONSEMI MC74HC1G00-D.PDF Description: ONSEMI - NLVHC1G00DFT2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G00
tariffCode: 85423990
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G00
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
TLV431CSN1T1G TLV431CSN1T1G ONSEMI 2907256.pdf Description: ONSEMI - TLV431CSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO85DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP16N60N FCP16N60N ONSEMI ONSM-S-A0003584213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134.4
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 ONSEMI 2304659.pdf Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP260N65S3 FCP260N65S3 ONSEMI FCP260N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCP260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSI45025AT1G NSI45025AT1G ONSEMI 1904477.pdf Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTNS3A91PZT5G. NTNS3A91PZT5G. ONSEMI NTNS3A91PZ-D.PDF Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 223
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP160AFCS330T2G NCP160AFCS330T2G ONSEMI 2236903.pdf Description: ONSEMI - NCP160AFCS330T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 80mV Dropout-Spannung, 3.3V/250mAout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1608BDR2G NCP1608BDR2G ONSEMI 2355053.pdf Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS1D1N08H NVBLS1D1N08H-D.PDF
NVBLS1D1N08H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTBLS1D1N08H NTBLS1D1N08H-D.PDF
NTBLS1D1N08H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV47701PDAJR2G 2255387.pdf
NCV47701PDAJR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47701PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 350
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 20
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 5
Eingangsspannung, max.: 40
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV8711ASNADJT1G 3108676.pdf
NCV8711ASNADJT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.7V bis 18Vin, 215mV Dropout, 1.2-17 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 17
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 18
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 215
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGBS3040E1-F085 FGBS3040_F085-D.PDF
FGBS3040E1-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGBS3040E1-F085 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DTBR2G 194954.pdf
SA575DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DTBR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, TSSOP, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SA575DR2G. SA575-D.PDF
SA575DR2G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA575DR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 3V bis 7V, WSOIC, 20 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 3V bis 7V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155 ONSM-S-A0013180377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH060N80-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0-D.pdf
FDB16AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ-D.PDF
FGAF20S65AQ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QEE123 QEE123-D.pdf
QEE123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDA59N25 ONSM-S-A0003584287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDA59N25
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA59N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 59
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 392
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 392
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
GF1J ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
GF1J
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GF1K ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS15782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
GF1K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GF1K ONSM-S-A0003589161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS15782-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
GF1K
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1K - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 2
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7NZ34K8X 2285851.pdf
NC7NZ34K8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 7NZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7SZ00P5X 2299570.pdf
NC7SZ00P5X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ00P5X - NAND-Gatter, NC7S00, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC546BTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC546BTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF6N80T FQPF6N80T-D.pdf
FQPF6N80T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1624T-TD-E en2019-d.pdf
2SD1624T-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSR0140P2T5G 2353885.pdf
NSR0140P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0140P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 70 mA, 350 mV, 500 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 350mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33152DR2G 1904616.pdf
NCV33152DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V bis 18V Versorgung, 1.5Aout, 40ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6.1
Quellstrom: 1.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BCW66GLT1G 2354268.pdf
BCW66GLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCW66GLT3G BCW66GLT1-D.PDF
BCW66GLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1A 1766356.pdf
RS1A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1A ONSM-S-A0013750025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS1A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1AFA RS1AFA-D.PDF
RS1AFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1AFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS2670 FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS2670 FAIRS44104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP125N60E ONSM-S-A0003584799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP125N60E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NUD3105LT1G 2354009.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
NUD3105LT1G 2354009.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3105LT1G - IC RELAY/INDUCTIVE DRIVER 400MA SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1323NZ FDZ1323NZ-D.pdf
FDZ1323NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ191P 2304274.pdf
FDZ191P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1905PZ FDZ1905PZ-D.PDF
FDZ1905PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ191P 2304274.pdf
FDZ191P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDZ1416NZ FDZ1416NZ-D.pdf
FDZ1416NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
RS1D 2303977.pdf
RS1D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1DFA RS1AFA-D.PDF
RS1DFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1DFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP12711ADNR2G 3917125.pdf
NCP12711ADNR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP12711ADNR2G - PWM-Controller, 4.5 bis 40V Versorgungsspannung, 1.25Aout, 1MHz, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZBZX84C3V0LT1G 2236792.pdf
SZBZX84C3V0LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C3V0LT1G - Zener-Diode, 3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD390N15ALZ 2572508.pdf
FDD390N15ALZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7NZ34K8X 2285851.pdf
NC7NZ34K8X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7NZ34K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BC549BTA 2299482.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC549BTA - TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0469
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD852SD 1727610.pdf
FOD852SD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
CTR, min.: 1000%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 50mA
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD852 2303886.pdf
FOD852
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
CTR, min.: 1000%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV33204DR2G ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV33204DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33204DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 10mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NLVHC1G00DFT2G MC74HC1G00-D.PDF
NLVHC1G00DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G00DFT2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G00
tariffCode: 85423990
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G00
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
TLV431CSN1T1G 2907256.pdf
TLV431CSN1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431CSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO85DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FCP16N60N ONSM-S-A0003584213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP16N60N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134.4
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FCPF067N65S3 2304659.pdf
FCPF067N65S3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FCP260N65S3 FCP260N65S3-D.PDF
FCP260N65S3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NSI45025AT1G 1904477.pdf
NSI45025AT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NTNS3A91PZT5G. NTNS3A91PZ-D.PDF
NTNS3A91PZT5G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 223
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121
Bauform - Transistor: XLLGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP160AFCS330T2G 2236903.pdf
NCP160AFCS330T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP160AFCS330T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 80mV Dropout-Spannung, 3.3V/250mAout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1608BDR2G 2355053.pdf
NCP1608BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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