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Technische Details FCH060N80-F155 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 58, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCH060N80-F155 nach Preis ab 19.61 EUR bis 28.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FCH060N80-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 56A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH060N80-F155 Produktcode: 158569 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FCH060N80-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FCH060N80-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 36.8A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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