| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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FDPF10N50UT | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220FDrain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Ultra FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV25080DWHFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Seriell SPI Betriebstemperatur, max.: 150°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NV25080DWHFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Taktfrequenz: 10MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit Speichergröße: 8Kbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Speicherschnittstelle: Seriell SPI Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Seriell SPI Betriebstemperatur, max.: 150°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT25080YI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 8Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Seriell SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N80CYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDLL4150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C13LT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V |
auf Bestellung 29261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SL15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SL15T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSA708YBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSA708YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SD1801S-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SD1802T-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1202S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 15 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 15 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8451 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 24545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8876 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SA5534ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s) Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 13 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGAF40S65AQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AP0200AT2L00XEGA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Pixelgröße (H x B): - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Bildfarbe: - Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: VFBGA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 100Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Aktiver Pixelbereich: - Bildrate, Bilder pro Sek.: 30 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV8730ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 24V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 38V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP718BSNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennausgangsspannung: -V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 24V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: No Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP718BSNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 300mA Nominelle feste Ausgangsspannung: - Nennausgangsspannung: -V usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V Bauform - LDO-Regler: TSOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40°C Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V Eingangsspannung, max.: 24V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Dropout-Spannung Vdo: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C11LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33202VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -55°C euEccn: NLR Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 2.2MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33202VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -55°C euEccn: NLR Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 2.2MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSCQ1265RTYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5 Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220 Nennleistung: 140 Anzahl der Pins: 5 AC-Eingangsspannung, max.: 265 Betriebstemperatur, min.: -25 AC-Eingangsspannung, min.: 85 Betriebstemperatur, max.: 85 Topologie: Flyback Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6310P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51560BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57530DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV57540DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16 Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Gate-Treiber: Isolated Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV57530DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16 Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Gate-Treiber: Isolated Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NXH450B100H4Q2F2PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 101A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 234W euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 101A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXH450B100H4Q2F2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 101 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 234 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1 IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 101 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCW30LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215 DC-Stromverstärkung hFE: 215 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ES1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 54159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU6K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 175A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV84045DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 28V Eingabeverzögerung: 60µs Ausgabeverzögerung: 60µs Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP102SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6 Bauform - Controller-IC: TSOP Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Eingangsspannung, max.: 13.5 Eingangsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 6 Ausgangsoption: Einstellbar Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP102SNT1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6 IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Qualifikation: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP1027P065G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8 Bauform - AC/DC-Wandler: DIP Nennleistung: 25 Anzahl der Pins: 8 AC-Eingangsspannung, max.: 265 Betriebstemperatur, min.: - AC-Eingangsspannung, min.: 90 Betriebstemperatur, max.: 150 Topologie: Flyback Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSA1156YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSA1281YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92L Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33274ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA113EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S3D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S3D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 2.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S3D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51530ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: -Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5104DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 85 Ausgabeverzögerung: 35 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51530BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 3 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 3.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 17 Eingabeverzögerung: 25 Ausgabeverzögerung: 25 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51561BBDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: NCP51561 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 39ns Ausgabeverzögerung: 39ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51561BADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: NCP51561 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 39ns Ausgabeverzögerung: 39ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5109ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V Quellstrom: 250mA euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5104DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: - Quellstrom: 250 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 85 Ausgabeverzögerung: 35 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51530BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51100ASNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23 tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOT-23 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51100ASNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23 tariffCode: 85429000 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.8A Versorgungsspannung, min.: 11V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOT-23 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: 14ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51199PDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Source- / Sink-Strom: 2 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
| FDPF10N50UT |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NV25080DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NV25080DWHFT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CAT25080YI-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDLL4150 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX84C13LT1G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
auf Bestellung 29261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SL15T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SL15T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSA708YBU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSA708YTA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SB1202S-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SB1202T-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SB1202S-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SB1202T-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSS64LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDD8451 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDS8876 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| SA5534ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FGAF40S65AQ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AP0200AT2L00XEGA0-DR1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: -
Bildrate, Bilder pro Sek.: 30
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: -
Bildrate, Bilder pro Sek.: 30
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV8730ASNADJT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP718BSNADJT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP718BSNADJT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 300mA
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Dropout-Spannung Vdo: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 300mA
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Dropout-Spannung Vdo: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX84C11LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV33202VDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -55°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -55°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV33202VDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -55°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Verstärker, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -55°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FSCQ1265RTYDTU | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDC6310P |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51560BBDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCD57530DWKR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV57540DWKR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Gate-Treiber: Isolated
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Gate-Treiber: Isolated
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV57530DWKR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Gate-Treiber: Isolated
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate Driver, 2 Channels, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: High Side, Low Side, Half Bridge
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Gate-Treiber: Isolated
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NXH450B100H4Q2F2PG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NXH450B100H4Q2F2SG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 101
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 101
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 101
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 101
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BCW30LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| ES1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - ES1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 54159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| GBU6K |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV84045DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP102SNT1G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCP102SNT1G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCP1027P065G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| KSA1156YS |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSA1281YTA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV33274ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTA113EET1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| S3D |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S3D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S3D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - S3D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1.2 V, 2.5 µs, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 2.5µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S3D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51530ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP5104DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51530BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51561BBDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51561BADWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP5109ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP5104DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51530BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51100ASNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51100ASNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCP51199PDR2G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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