BSS64LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BSS64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS64LT1G nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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BSS64LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS64LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
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BSS64LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS64LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BSS64LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz |
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BSS64LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 13551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS64LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 32900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS64LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN |
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BSS64LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS64LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS64LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS64LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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