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FDC6310P

FDC6310P ON Semiconductor

fdc6310p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6310P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : onsemi / Fairchild FDC6310P_D-2312247.pdf MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
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6000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDC6310P FDC6310P Hersteller : onsemi fdc6310p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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18+0.99 EUR
21+ 0.85 EUR
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ONSEMI 265058.pdf Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ON Semiconductor 3673739252950919fdc6310p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ON Semiconductor fdc6310p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC6310P FDC6310P Hersteller : ONSEMI fdc6310p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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