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NCV33074ADR2G NCV33074ADR2G ONSEMI MC34071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33074ADR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NUP4201DR2G NUP4201DR2G ONSEMI ONSM-S-A0015958074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4201DR2G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 ONSEMI nvh4l020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 ONSEMI nth4l020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7SP19P6X NC7SP19P6X ONSEMI FAIRS35299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw nc7sp19-d.pdf Description: ONSEMI - NC7SP19P6X - TINYLOGIC ULP 1-OF-2 DECODER/DEMULTIPLEX
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N4751A-T50A 1N4751A-T50A ONSEMI 2552611.pdf Description: ONSEMI - 1N4751A-T50A - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33072ADR2G NCV33072ADR2G ONSEMI MC34071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33072ADR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KA7553A KA7553A ONSEMI KA7553A-D.PDF Description: ONSEMI - KA7553A - PWM CONTROLLERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI 2572469.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP7P06 FQP7P06 ONSEMI ONSM-S-A0003585406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI byw29-d.pdf description Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC807-40WT1G BC807-40WT1G ONSEMI ONSM-S-A0014908647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC807-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC6303N FDC6303N ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI 2907371.pdf Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1217AP65G NCP1217AP65G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217AP65G - PWM-Controller, Current-Mode, 16V Versorgungsspannung, 65/100/133kHz, 1.7mAout, DIP-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1217D100R2G NCP1217D100R2G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 5.6
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1217D100R2G NCP1217D100R2G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SS14FP SS14FP ONSEMI S110FP-D.pdf Description: ONSEMI - SS14FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG ONSEMI NTLJS5D0N03C-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTR4170NT1G. NTR4170NT1G. ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDC855N FDC855N ONSEMI 2304870.pdf Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953BG 1N5953BG ONSEMI 1n5913b-d.pdf Description: ONSEMI - 1N5953BG - Zener-Diode, 150 V, 3 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5953
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 150V
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 25180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G ONSEMI 699592.pdf Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 420
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BC858CLT3G BC858CLT3G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 520
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5994-TD-E 2SC5994-TD-E ONSEMI 2sc5994-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6082-1E 2SC6082-1E ONSEMI 2371185.pdf Description: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 195MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
2SC4027T-TL-E 2SC4027T-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NLV74LCX04DTR2G NLV74LCX04DTR2G ONSEMI MC74LCX04-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NJL1302DG NJL1302DG ONSEMI njl3281d-d.pdf Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP48G TIP48G ONSEMI ONSM-S-A0014426510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP48TU TIP48TU ONSEMI TIP47-D.PDF Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NXH25C120L2C2SG NXH25C120L2C2SG ONSEMI 3005772.pdf Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH35C120L2C2SG NXH35C120L2C2SG ONSEMI 3005774.pdf Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH50C120L2C2ESG NXH50C120L2C2ESG ONSEMI 3005775.pdf Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH35C120L2C2ESG NXH35C120L2C2ESG ONSEMI 3005773.pdf Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSC2334YTU KSC2334YTU ONSEMI KSC2334-D.pdf Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858AWT1G BC858AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858AWT1G BC858AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BLT1G BC858BLT1G ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FAN7710VN FAN7710VN ONSEMI FAN7710V-D.pdf Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N4745A. 1N4745A. ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 16V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N4745ATR 1N4745ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BYW51-200G BYW51-200G ONSEMI ONSM-S-A0014467243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NL17SZ175DBVT1G NL17SZ175DBVT1G ONSEMI NL17SZ175-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCD3400N80Z FCD3400N80Z ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74LCX14BQX 74LCX14BQX ONSEMI 2907147.pdf Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7414
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX14
Logiktyp: Schmitt-Trigger-Inverter
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2616-TL-W VEC2616-TL-W ONSEMI 2053003.pdf Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2616-TL-W VEC2616-TL-W ONSEMI 2053003.pdf Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2415-TL-W VEC2415-TL-W ONSEMI ONSM-S-A0001341398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
VEC2415-TL-W VEC2415-TL-W ONSEMI ONSM-S-A0001341398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CAT25160VI-GT3 CAT25160VI-GT3 ONSEMI 1696762.pdf Description: ONSEMI - CAT25160VI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CAT5119TBI-10GT3 CAT5119TBI-10GT3 ONSEMI CAT5119-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FJA4210OTU FJA4210OTU ONSEMI 2907280.pdf Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVUS120VT3G ONSEMI 2907050.pdf Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NRVUS120VT3G ONSEMI 2907050.pdf Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33074ADR2G MC34071-D.PDF
NCV33074ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33074ADR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NUP4201DR2G ONSM-S-A0015958074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4201DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4201DR2G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
NVH4L020N120SC1 nvh4l020n120sc1-d.pdf
NVH4L020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTH4L020N120SC1 nth4l020n120sc1-d.pdf
NTH4L020N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7SP19P6X FAIRS35299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw nc7sp19-d.pdf
NC7SP19P6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP19P6X - TINYLOGIC ULP 1-OF-2 DECODER/DEMULTIPLEX
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N4751A-T50A 2552611.pdf
1N4751A-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4751A-T50A - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCV33072ADR2G MC34071-D.PDF
NCV33072ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33072ADR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KA7553A KA7553A-D.PDF
KA7553A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA7553A - PWM CONTROLLERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
KSD2012GTU 2572469.pdf
KSD2012GTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP7P06 ONSM-S-A0003585406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP7P06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BYW29-200G description byw29-d.pdf
BYW29-200G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC807-40WT1G ONSM-S-A0014908647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC807-40WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDC6303N 2304097.pdf
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH45N50F-F133 2907371.pdf
FDH45N50F-F133
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1217AP65G 2160897.pdf
NCP1217AP65G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217AP65G - PWM-Controller, Current-Mode, 16V Versorgungsspannung, 65/100/133kHz, 1.7mAout, DIP-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1217D100R2G 2160897.pdf
NCP1217D100R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 5.6
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1217D100R2G 2160897.pdf
NCP1217D100R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SS14FP S110FP-D.pdf
SS14FP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS14FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03C-D.PDF
NTLJS5D0N03CTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTR4170NT1G. 2354103.pdf
NTR4170NT1G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDC855N 2304870.pdf
FDC855N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N5953BG 1n5913b-d.pdf
1N5953BG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5953BG - Zener-Diode, 150 V, 3 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5953
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 150V
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CLT1G 2353764.pdf
BC858CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 25180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CDXV6T1G 699592.pdf
BC858CDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 420
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BC858CLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC858CLT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 520
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5994-TD-E 2sc5994-d.pdf
2SC5994-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6082-1E 2371185.pdf
2SC6082-1E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 195MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
2SC4027T-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC4027T-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NLV74LCX04DTR2G MC74LCX04-D.PDF
NLV74LCX04DTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NJL1302DG njl3281d-d.pdf
NJL1302DG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP48G ONSM-S-A0014426510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP48G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP48TU TIP47-D.PDF
TIP48TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NXH25C120L2C2SG 3005772.pdf
NXH25C120L2C2SG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH35C120L2C2SG 3005774.pdf
NXH35C120L2C2SG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH50C120L2C2ESG 3005775.pdf
NXH50C120L2C2ESG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NXH35C120L2C2ESG 3005773.pdf
NXH35C120L2C2ESG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSC2334YTU KSC2334-D.pdf
KSC2334YTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858AWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858BWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858BWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858AWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858BLT1G 1840529.pdf
BC858BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FAN7710VN FAN7710V-D.pdf
FAN7710VN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
1N4745A. 3658796.pdf
1N4745A.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 16V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N4745ATR 3658796.pdf
1N4745ATR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BYW51-200G ONSM-S-A0014467243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYW51-200G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NL17SZ175DBVT1G NL17SZ175-D.PDF
NL17SZ175DBVT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
FCD3400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
FCD3400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74LCX14BQX 2907147.pdf
74LCX14BQX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7414
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX14
Logiktyp: Schmitt-Trigger-Inverter
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2616-TL-W 2053003.pdf
VEC2616-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2616-TL-W 2053003.pdf
VEC2616-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VEC2415-TL-W ONSM-S-A0001341398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VEC2415-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
VEC2415-TL-W ONSM-S-A0001341398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VEC2415-TL-W
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CAT25160VI-GT3 1696762.pdf
CAT25160VI-GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25160VI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CAT5119TBI-10GT3 CAT5119-D.PDF
CAT5119TBI-10GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FJA4210OTU 2907280.pdf
FJA4210OTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NRVUS120VT3G 2907050.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NRVUS120VT3G 2907050.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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