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BC858CLT1G

BC858CLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC858CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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6000+ 0.024 EUR
15000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1583+ 0.094 EUR
1716+ 0.084 EUR
3040+ 0.045 EUR
3206+ 0.041 EUR
3226+ 0.039 EUR
4902+ 0.025 EUR
5264+ 0.023 EUR
6000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1471
BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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685+ 0.1 EUR
1446+ 0.049 EUR
2263+ 0.032 EUR
2936+ 0.024 EUR
3106+ 0.023 EUR
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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1446+ 0.049 EUR
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
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15+0.2 EUR
20+ 0.15 EUR
100+ 0.06 EUR
1000+ 0.037 EUR
3000+ 0.032 EUR
45000+ 0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 26410 Stücke:
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC858CLT1G BC858CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc856alt1-d.pdf Tranzystor: PNP; bipolarny; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 BC858CLT3G BC858CLT1G ONS TBC858c ONS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BC858CLT1G Hersteller : ONSEMI ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC858CLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 174190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC858CLT1G (SOT-23, ON)
Produktcode: 150832 		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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