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BYW29-200G

BYW29-200G ON Semiconductor


byw29-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details BYW29-200G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220B, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW29, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ONSEMI BYW29-200G.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ONSEMI BYW29-200G.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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146+ 0.97 EUR
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1000+ 0.57 EUR
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : onsemi BYW29_D-2310669.pdf Rectifiers 200V 8A UltraFast
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : onsemi byw29-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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10+ 1.81 EUR
100+ 1.22 EUR
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1000+ 0.88 EUR
2000+ 0.81 EUR
5000+ 0.73 EUR
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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BYW29-200G BYW29-200G
Produktcode: 58309
byw29-d.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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