Produkte > IGW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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| IGW03N120H2 | INFINEON | 06+ SOT-153 | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW08T120 | Rochester Electronics, LLC | Description: IGW08T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW08T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW08T120FKSA1 - IGBT, 16 A, 1.7 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchStop Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 16A 70W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW100N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/265ns Switching Energy: 3.7mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.5Ohm, 15V Gate Charge: 625 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 714 W | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW100N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 714W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW15N120H3 | Infineon Technologies | Description: IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 Produktcode: 189073 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 30A 217W IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW15T120 Produktcode: 134152 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW15T120 | Infineon Technologies | Description: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | auf Bestellung 7690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW15T120FKSA1 - IGW15T120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 26640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 Produktcode: 182831 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW20N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW20N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP Gen III Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW25N120H3 Produktcode: 160434 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | auf Bestellung 3026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon | 50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 3974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25T120 Produktcode: 153078 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW25T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW25T120 | Infineon Technologies | Description: IGW25T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW25T120FKSA1 - IGW25T120 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N100T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon | auf Bestellung 52505 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N100T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 Produktcode: 145089 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/535ns Switching Energy: 3.8mJ Test Condition: 600V, 30A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 217 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 412 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT | auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60H3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW30N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60T Produktcode: 101922 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW30N60T | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon | 45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60TP | Infineon Technologies | Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60TP | Infineon technologies | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | auf Bestellung 4376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N65L5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N65L5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3 Produktcode: 51727 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 483W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.16mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W | auf Bestellung 5968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 40A 306W | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.95 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT 600V 80A 306W IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 306W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N60TP | Infineon Technologies | Description: IGW40N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N60TP | Infineon technologies | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N60TPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5A | Infineon | auf Bestellung 96720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW40N65F5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65F5AXKSA1 - IGW40N65F5A 650V IGBT HIGH SPEED SWITCH tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 40202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 255 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 74A 255W IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 45097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW40N65H5 Produktcode: 184903 | IC > IC andere | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65H5AXKSA1 - IGW40N65 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65H5FKSA1 Produktcode: 178084 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40T120 (TO247-3) Produktcode: 98711 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 Produktcode: 153805 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40T120FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60H3 Produktcode: 107816 | Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 1,85 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A Pd 25: 333 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 23/235 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 50A 333W | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Mounting: THT Case: TO247-3 | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.3 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60T | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TFKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Kind of package: tube | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60TP | Infineon technologies | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW50N65F5AXKSA1 - IGW50N65 - AUTOMOTIVE IGBT DISCRETES tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 80A 305W IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 Produktcode: 85495 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 70320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW50N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65H5 Produktcode: 182512 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW50N65HS | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW60T120 Produktcode: 114731 | Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 Vce: 1,7 V Ic 25: 100 A Ic 100: 60 A Pd 25: 375 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/9,4 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60T120 | Infineon Technologies | Description: IGW60T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60T120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW60T120FKSA1 - IGW60T120 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW60T120FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1 IGW60T120 TIGW60t120 | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/480ns Switching Energy: 9.5mJ Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 280 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 375 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60H3 Produktcode: 150038 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N60H3FKSA1 - IGBT, 140 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60T Produktcode: 150884 | Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon | 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | Infineon | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon | 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 Produktcode: 174179 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IGW75N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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