IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
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auf Bestellung 18 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGW60N60H3FKSA1 nach Preis ab 5.62 EUR bis 12.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW60N60H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
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