IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 240+ | 4.88 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IGW75N65H5XKSA1 nach Preis ab 4.01 EUR bis 10.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 1212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
IGW75N65H5XKSA1 Produktcode: 174179 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |