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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
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FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
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FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
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FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.14 EUR
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 74820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+ 0.72 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.27 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+ 0.27 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 17821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
25+ 0.71 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
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FDN103
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
auf Bestellung 1009 Stücke:
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FDN143ROHM99+ QFP
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN143ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147ROHM97+ QFP
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147-626
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147B97 TQFP
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
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FDN301
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN301A
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN301N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
168+ 0.43 EUR
339+ 0.21 EUR
358+ 0.2 EUR
500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.52 EUR
506+ 0.29 EUR
511+ 0.28 EUR
517+ 0.26 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 292
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.73 EUR
289+ 0.51 EUR
292+ 0.49 EUR
506+ 0.27 EUR
511+ 0.26 EUR
517+ 0.24 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 209
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
168+ 0.43 EUR
339+ 0.21 EUR
358+ 0.2 EUR
500+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
auf Bestellung 14009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.34 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN302P
Produktcode: 31343		FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 2.4
Rds(on),Om: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 18903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
28+ 0.63 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 2394000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_NLFairchild
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN303
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304??SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304N
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
auf Bestellung 82556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+ 0.75 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.28 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 165066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
154+ 0.46 EUR
219+ 0.33 EUR
232+ 0.31 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 109
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 165066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
154+ 0.46 EUR
219+ 0.33 EUR
232+ 0.31 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 109
FDN304P
Produktcode: 127609		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.76 EUR
241+ 0.61 EUR
343+ 0.41 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 24152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
24+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
24000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
45000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+ 0.31 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
152+ 0.47 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 8229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
24000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
45000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 67591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
21+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
152+ 0.47 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN305PANASONIC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306-NL
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.71 EUR
249+ 0.59 EUR
358+ 0.4 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 215
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 81165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
171+ 0.42 EUR
203+ 0.35 EUR
283+ 0.25 EUR
298+ 0.24 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 58766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
30+ 0.6 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 150
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.49 EUR
401+ 0.37 EUR
425+ 0.33 EUR
518+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.64 EUR
277+ 0.53 EUR
311+ 0.46 EUR
401+ 0.34 EUR
425+ 0.31 EUR
518+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 241
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.22 EUR
9000+ 0.21 EUR
30000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
171+ 0.42 EUR
203+ 0.35 EUR
283+ 0.25 EUR
298+ 0.24 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
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FDN306P-NLFAI09+
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FDN306P-NLFAIRCHILD
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FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
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30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN306P/306FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
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FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
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FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5460 Stücke:
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FDN307
auf Bestellung 3500 Stücke:
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FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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305+0.5 EUR
353+ 0.42 EUR
360+ 0.39 EUR
449+ 0.3 EUR
453+ 0.29 EUR
591+ 0.21 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 305
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
25+ 0.71 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
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360+0.43 EUR
449+ 0.33 EUR
453+ 0.31 EUR
591+ 0.23 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 360
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 6119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9736 Stücke:
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FDN308P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
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FDN308P_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN327Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
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4+0.75 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 69978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327N
Produktcode: 176408		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.76 EUR
322+ 0.46 EUR
482+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 201
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 219
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.7 EUR
358+ 0.41 EUR
395+ 0.36 EUR
582+ 0.23 EUR
588+ 0.22 EUR
655+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 219
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 44008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
286+ 0.25 EUR
317+ 0.23 EUR
368+ 0.19 EUR
391+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 239
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 18736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+0.34 EUR
21+ 0.29 EUR
100+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
286+ 0.25 EUR
317+ 0.23 EUR
368+ 0.19 EUR
391+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 239
FDN327N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+0.057 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 310
FDN327N/327FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN331NFAirchild
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN332-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
30000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3089 Stücke:
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136+0.53 EUR
191+ 0.38 EUR
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323+ 0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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248+0.62 EUR
302+ 0.49 EUR
439+ 0.32 EUR
548+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
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FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+ 0.24 EUR
18000+ 0.21 EUR
27000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.28 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3089 Stücke:
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136+0.53 EUR
191+ 0.38 EUR
305+ 0.23 EUR
323+ 0.22 EUR
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FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
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4+0.72 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 88803 Stücke:
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25+0.7 EUR
30+ 0.6 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
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FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.28 EUR
12000+ 0.24 EUR
24000+ 0.22 EUR
36000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4028 Stücke:
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228+0.67 EUR
270+ 0.55 EUR
387+ 0.37 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 228
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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326+0.47 EUR
425+ 0.35 EUR
455+ 0.31 EUR
536+ 0.25 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 326
FDN335N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
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FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
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1000+0.081 EUR
3000+ 0.074 EUR
6000+ 0.072 EUR
15000+ 0.069 EUR
30000+ 0.067 EUR
75000+ 0.061 EUR
150000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
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FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
211+ 0.34 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 11725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
30+ 0.59 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
211+ 0.34 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336P
Produktcode: 135239		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.6 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
45000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+0.058 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.05 EUR
30000+ 0.048 EUR
75000+ 0.045 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 306
FDN336P/336FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 143238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.29 EUR
9000+ 0.27 EUR
30000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 19157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.15 EUR
45000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN337N
Produktcode: 118654		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NFairchildN-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 893 Stücke:
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4+0.82 EUR
10+ 0.69 EUR
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500+ 0.41 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
usEccn: EAR99
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 143238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
23+ 0.77 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 19157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.081 EUR
3000+ 0.074 EUR
6000+ 0.072 EUR
15000+ 0.069 EUR
30000+ 0.067 EUR
75000+ 0.061 EUR
150000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN337N3DBBAFAI9918+
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337NNLFAIRCHILD
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338??SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338FAIRCHILDSOT-23
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
auf Bestellung 89346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 260
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
191+ 0.38 EUR
274+ 0.26 EUR
290+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 141
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+0.51 EUR
191+ 0.38 EUR
274+ 0.26 EUR
290+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 141
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN338PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
75000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 74343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+ 0.62 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.26 EUR
6000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
370+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 370
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN338PON-SemicoductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P/338FAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P/338FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338P_NLFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 326730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN339FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339FAI4 SOT-23
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.7 EUR
253+ 0.58 EUR
274+ 0.52 EUR
362+ 0.38 EUR
388+ 0.34 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 220
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.56 EUR
362+ 0.41 EUR
388+ 0.37 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 274
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 66011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
111+0.65 EUR
186+ 0.39 EUR
243+ 0.29 EUR
257+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 22781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+ 0.67 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 66011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 47557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+ 0.66 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+0.65 EUR
186+ 0.39 EUR
243+ 0.29 EUR
257+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
FDN339AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+0.058 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.05 EUR
30000+ 0.048 EUR
75000+ 0.045 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 306
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
Produkt ist nicht verfügbar
FDN3401FAIRCHILD
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
75000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 127255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
179+ 0.4 EUR
234+ 0.31 EUR
404+ 0.18 EUR
428+ 0.17 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
179+ 0.4 EUR
234+ 0.31 EUR
404+ 0.18 EUR
428+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 134129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
69000+ 0.17 EUR
138000+ 0.15 EUR
207000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340P
Produktcode: 191356		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 82286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.08 EUR
3000+ 0.073 EUR
6000+ 0.071 EUR
15000+ 0.068 EUR
30000+ 0.066 EUR
75000+ 0.06 EUR
150000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN340P/340FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN342PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.28 EUR
15000+ 0.26 EUR
30000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.28 EUR
15000+ 0.26 EUR
30000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.28 EUR
15000+ 0.26 EUR
30000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
9000+ 0.43 EUR
18000+ 0.38 EUR
27000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+ 1.03 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDN342P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
45000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
355+ 0.2 EUR
376+ 0.19 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
355+ 0.2 EUR
376+ 0.19 EUR
2000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
45000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 81258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
25+ 0.72 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.65 EUR
338+ 0.44 EUR
341+ 0.42 EUR
408+ 0.34 EUR
412+ 0.32 EUR
523+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 236
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.45 EUR
408+ 0.36 EUR
412+ 0.35 EUR
523+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 341
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.62 EUR
304+ 0.49 EUR
431+ 0.33 EUR
549+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 247
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
auf Bestellung 186679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+ 0.6 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
15000+ 0.22 EUR
21000+ 0.21 EUR
75000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.16 EUR
45000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 105298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
24000+ 0.24 EUR
48000+ 0.21 EUR
72000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 55628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2094+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2094
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+ 0.055 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 32184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+ 0.69 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
45000+ 0.35 EUR
90000+ 0.31 EUR
135000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.23 EUR
12000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 32184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
26+ 0.7 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+0.56 EUR
150+ 0.48 EUR
213+ 0.34 EUR
226+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 128
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.21 EUR
12000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
128+0.56 EUR
150+ 0.48 EUR
213+ 0.34 EUR
226+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 128
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN357N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
213+ 0.34 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
300+ 0.24 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 148
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.78 EUR
10+ 0.68 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
auf Bestellung 16019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
27+ 0.68 EUR
100+ 0.47 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDN358P
Produktcode: 36466		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
213+ 0.34 EUR
235+ 0.3 EUR
285+ 0.25 EUR
300+ 0.24 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 148
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN358P(2DCEA)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN358P-NL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+0.057 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.044 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 310
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
205+0.35 EUR
230+ 0.31 EUR
300+ 0.24 EUR
320+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 205
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 30833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+ 0.66 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 7263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 150-154 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.65 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 60
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.35 EUR
230+ 0.31 EUR
300+ 0.24 EUR
320+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 205
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
auf Bestellung 243018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN/F40
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 243100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 32433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.65 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
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3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.91 EUR
6000+ 0.79 EUR
12000+ 0.7 EUR
15000+ 0.64 EUR
24000+ 0.58 EUR
30000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 139951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.91 EUR
217+ 0.68 EUR
227+ 0.63 EUR
295+ 0.46 EUR
321+ 0.41 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 168
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
18000+ 0.23 EUR
27000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.68 EUR
295+ 0.5 EUR
321+ 0.44 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 227
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
75000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1200000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359N/359FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360P
Produktcode: 75653		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 189990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.47 EUR
230+ 0.31 EUR
335+ 0.21 EUR
355+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDN360PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 14332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+ 0.65 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.23 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 59370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 190025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 59825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
155+0.47 EUR
230+ 0.31 EUR
335+ 0.21 EUR
355+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360P/360FAIRCHIL09+
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANFAIRCHILD09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANFAISOT-23
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 173821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN/361FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 363000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11696 Stücke:
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FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.24 EUR
662+ 0.22 EUR
669+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 644
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BN-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361P/361FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 48344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1664+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1664
FDN363N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
Produkt ist nicht verfügbar
FDN371N
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN371N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SSAMSOT 08+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN372SFSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 105742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
FDN372S-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN377NFSC
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN537NON Semiconductor
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN537NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+0.99 EUR
107+ 0.67 EUR
142+ 0.5 EUR
171+ 0.42 EUR
178+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN537NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
107+ 0.67 EUR
142+ 0.5 EUR
171+ 0.42 EUR
178+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
18+ 1.01 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 410-414 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+ 0.96 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.42 EUR
6000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 281201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 60V
auf Bestellung 62425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 281201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 65367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 152196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 29973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
814+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 814
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
auf Bestellung 6236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
169+ 0.42 EUR
358+ 0.2 EUR
379+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
169+ 0.42 EUR
358+ 0.2 EUR
379+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 132
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-NL
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085ONSEMIFDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
176+ 0.41 EUR
186+ 0.39 EUR
3000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
auf Bestellung 471814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.39 EUR
6000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 13848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 4294967295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.43 EUR
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FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 50374 Stücke:
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 22657 Stücke:
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12+1.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
FDN8601ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
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108+ 1.38 EUR
161+ 0.88 EUR
163+ 0.84 EUR
250+ 0.75 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 92
FDN8601ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.66 EUR
6000+ 0.62 EUR
9000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2396 Stücke:
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FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 3322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
11+ 1.74 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.21 EUR
147+ 1.01 EUR
148+ 0.96 EUR
195+ 0.7 EUR
250+ 0.66 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 127
FDN86246onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN86265PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+ 0.65 EUR
9000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.7 EUR
10+ 1.36 EUR
100+ 1.07 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.75 EUR
3000+ 0.7 EUR
6000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 12806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
14+ 1.35 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.48 EUR
6000+ 1.42 EUR
9000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86501LZON Semiconductor
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 2.6 A, 116 mohm
auf Bestellung 34398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+ 3.12 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.7 EUR
3000+ 1.59 EUR
6000+ 1.55 EUR
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
auf Bestellung 28708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.29 EUR
10+ 2.72 EUR
100+ 2.17 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNM008.0010PNEUMATFDNM008.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM008.0025PNEUMATFDNM008.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM008.0050PNEUMATFDNM008.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0010PNEUMATFDNM010.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0025PNEUMATFDNM010.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0050PNEUMATFDNM010.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0010PNEUMATFDNM012.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0025PNEUMATFDNM012.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Type of pneumatic module: round cylinder
Body material: aluminium
Application: compressed air
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 12mm
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Pneumatic components features: mechanical amortization
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Type of pneumatic module: round cylinder
Body material: aluminium
Application: compressed air
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 12mm
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Pneumatic components features: mechanical amortization
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium
Operating temperature: 0...40°C
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 80mm
Tube material: stainless steel
Operating pressure: 1...10bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium
Operating temperature: 0...40°C
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 80mm
Tube material: stainless steel
Operating pressure: 1...10bar
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0100PNEUMATFDNM012.0100 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0125PNEUMATFDNM012.0125 Actuators
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FDNM020.0125PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 125mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 125mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR rubber
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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FDNM020.0125PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 125mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 125mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR rubber
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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FDNM025.0050PNEUMATFDNM025.0050 Actuators
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2+35.75 EUR
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FDNM025.0080PNEUMATFDNM025.0080 Actuators
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FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Body material: aluminium
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Application: compressed air
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 100mm
Tube material: stainless steel
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2+35.75 EUR
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FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Body material: aluminium
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Application: compressed air
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 100mm
Tube material: stainless steel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+35.75 EUR
5+ 32.13 EUR
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FDNM025.0125PNEUMATFDNM025.0125 Actuators
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FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 283 Stücke:
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FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
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FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
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