FDN338P onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.23 EUR |
6000+ | 0.22 EUR |
9000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details FDN338P onsemi
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDN338P nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDN338P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V |
auf Bestellung 46653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
auf Bestellung 74343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 800 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 87145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 87145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM Anzahl je Verpackung: 370 Stücke |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM Anzahl je Verpackung: 260 Stücke |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2191 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : MSKSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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