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Technische Details FDN337N ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote FDN337N nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.9 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDN337N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
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FDN337N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
auf Bestellung 143238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 19157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 19157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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FDN337N Produktcode: 118654 |
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FDN337N | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDN337N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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FDN337N | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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