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ohne MwSt
MAL209637152E3 MAL209637152E3 VISHAY VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY 3672812.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY 3672811.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY 3006503.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY 3006503.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY 3672811.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY 3672812.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MKT1817210404 MKT1817210404 VISHAY VISH-S-A0000690181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 0
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 0
Kapazität: 0
Spannung (DC): 0
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 0
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VY1220K31U2JQ6TV0 VY1220K31U2JQ6TV0 VISHAY 4191406.pdf Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AY1681M35Y5UC63L0 AY1681M35Y5UC63L0 VISHAY 4330016.pdf Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
F340X153348MPP2T0 F340X153348MPP2T0 VISHAY f340x1_480vac.pdf Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMU01020C3302FB300 MMU01020C3302FB300 VISHAY 2278511.pdf Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU 0102, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU 0102
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 69165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IMC0805ER100J01 IMC0805ER100J01 VISHAY VISHS83958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CRCW080540K0FKEA CRCW080540K0FKEA VISHAY 3716280.pdf Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY 2793367.pdf Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WSLP0603R0500FEA WSLP0603R0500FEA VISHAY VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY wfm.pdf Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T55V336M025C0050 T55V336M025C0050 VISHAY 2896948.pdf Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch: 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Name der Serie: vPolyTan T55
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHLP5050CEER100M01 IHLP5050CEER100M01 VISHAY 2049151.pdf Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 13.2mm x 12.9mm x 3.5mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
V10PM45HM3/H V10PM45HM3/H VISHAY v10pm45.pdf Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS V10PM45
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VS-18TQ045S-M3 VS-18TQ045S-M3 VISHAY 2621714.pdf Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY 3257149.pdf Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY 2687546.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY sqd40061el.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY sidr402dp.pdf Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY sqjq410el.pdf Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM50034E_GE3 SQM50034E_GE3 VISHAY 2795476.pdf Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY 3672806.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD100N04-3M6_GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD100N04-3M6L_GE3 SQD100N04-3M6L_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6l.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY siss46dn.pdf Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65.7W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 22793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 VISHAY 2838128.pdf Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 28085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY sidr680dp.pdf Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 VISHAY sqd70140el.pdf Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMCJ15CA-E3/57T SMCJ15CA-E3/57T VISHAY VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMP24A-M3/84A SMP24A-M3/84A VISHAY VISH-S-A0015178121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMC3K33CA-M3/57 SMC3K33CA-M3/57 VISHAY smc3k22ca.pdf Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, AEC-Q101, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMCJ58A-E3/57T SMCJ58A-E3/57T VISHAY VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMCJ58A-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Unidirektional, 58 V, 93 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 58V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 93V
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
V30KM45-M3/H V30KM45-M3/H VISHAY 3177860.pdf Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS/ V30KM45
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MAL209637152E3 VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAL209637152E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6L_GE3 3672812.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6_GE3 3672811.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-4M5L_GE3 3006503.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-4M5L_GE3 3006503.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6_GE3 3672811.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50N04-5M6L_GE3 3672812.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MKT1817210404 VISH-S-A0000690181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MKT1817210404
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 0
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 0
Kapazität: 0
Spannung (DC): 0
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 0
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VY1220K31U2JQ6TV0 4191406.pdf
VY1220K31U2JQ6TV0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AY1681M35Y5UC63L0 4330016.pdf
AY1681M35Y5UC63L0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
F340X153348MPP2T0 f340x1_480vac.pdf
F340X153348MPP2T0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMU01020C3302FB300 2278511.pdf
MMU01020C3302FB300
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU 0102, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU 0102
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 69165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IMC0805ER100J01 VISHS83958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IMC0805ER100J01
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CRCW080540K0FKEA 3716280.pdf
CRCW080540K0FKEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WFMB2512R0500FEA 2793367.pdf
WFMB2512R0500FEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WSLP0603R0500FEA VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSLP0603R0500FEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
WFMB2512R0500FEA wfm.pdf
WFMB2512R0500FEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
T55V336M025C0050 2896948.pdf
T55V336M025C0050
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch: 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Name der Serie: vPolyTan T55
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHLP5050CEER100M01 2049151.pdf
IHLP5050CEER100M01
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 13.2mm x 12.9mm x 3.5mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
V10PM45HM3/H v10pm45.pdf
V10PM45HM3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS V10PM45
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
VS-18TQ045S-M3 2621714.pdf
VS-18TQ045S-M3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUM70042E-GE3 3257149.pdf
SUM70042E-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40P10-40L_GE3 VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40P10-40L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD40061EL_GE3 2687546.pdf
SQD40061EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIDR402DP-T1-GE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7456DDP-T1-GE3 VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7456DDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40P10-40L_GE3 VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40P10-40L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM50034E_GE3 2795476.pdf
SQM50034E_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2328DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2328DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQM40N10-30_GE3 3672806.pdf
SQM40N10-30_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD100N04-3M6_GE3 sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3M6_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD100N04-3M6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3M6L_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
SIA416DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SISS46DN-T1-GE3 siss46dn.pdf
SISS46DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65.7W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 22793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
SI4058DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD50034EL_GE3 2838128.pdf
SQD50034EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 28085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2328DS-T1-GE3 2049165.pdf
SI2328DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
SI4058DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4100DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4100DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
SIA416DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMCJ15CA-E3/57T VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ15CA-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMP24A-M3/84A VISH-S-A0015178121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMP24A-M3/84A
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMC3K33CA-M3/57 smc3k22ca.pdf
SMC3K33CA-M3/57
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, AEC-Q101, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMCJ58A-E3/57T VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ58A-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ58A-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Unidirektional, 58 V, 93 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 64.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 71.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 58V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 93V
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
V30KM45-M3/H 3177860.pdf
V30KM45-M3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - V30KM45-M3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 30 A, Einfach, FlatPAK, 8 Pin(s), 610 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: FlatPAK
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 610mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TMBS/ V30KM45
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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