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SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3 Vishay

si2328ds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2328DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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143+ 1.05 EUR
203+ 0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 142
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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143+ 1.01 EUR
203+ 0.68 EUR
250+ 0.65 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.44 EUR
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2328ds.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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1000+ 0.65 EUR
3000+ 0.59 EUR
6000+ 0.55 EUR
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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