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Technische Details SI2324DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2324DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.02 EUR
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 234mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 234mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 99454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.5W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |