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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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JS-24N-K Produktcode: 52789 |
Fujitsu Takamisawa |
Relais Relaistyp: Relais Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 24V; I-komm: 8А; -40C...+85°C Abmessungen: 29х10х12,5mm Spulenspannung: 24 VDC Strom max: 8 A |
auf Bestellung 40 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP Produktcode: 2275 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220isolated Uds,V: 500 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 0.38 Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 18 Stück
5 Stück - stock Köln
13 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet
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STP14NK60ZFP Produktcode: 901 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220FP Uds,V: 600 Idd,A: 12 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 25 Stück
4 Stück - stock Köln
21 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet 19.10.2024
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STP4NK60Z Produktcode: 2561 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 600 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.02.2000 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 46 Stück
15 Stück - stock Köln
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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STP4NK60ZFP Produktcode: 3364 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220FP Uds,V: 600 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 2 Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 340 Stück
50 Stück - stock Köln
290 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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STW14NK50Z Produktcode: 3300 |
ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 500 Idd,A: 14 Rds(on), Ohm: 0.38 Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 40 Stück
6 Stück - stock Köln
34 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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USBB-SP (USB-B1S01M-0N4N)(KLS1-184) Produktcode: 22487 |
CZT |
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB Beschreibung: Stecker USB Typ B auf Kabel, für löten, Typ 1, Gold Flash Typ: USB Stecker/Steckdose: Stecker № 5: на кабель Орієнтація в просторі: Прямий 8536 69 90 90 |
auf Bestellung 451 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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JS-24N-K | FUJITSU |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 24V DC Contact current max.: 8A AC contacts rating @R: 8A / 250V AC DC contacts rating @R: 8A / 24V DC Relay series: JS Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC Relay variant: miniature Mounting: PCB Coil resistance: 2.35kΩ Coil voltage min.: 16.8V DC Coil voltage max.: 56.6V DC Operate time: 10ms Body dimensions: 29x10x12.5mm Release time: 5ms Coil power consumption: 245mW Operating temperature: -40...85°C Contact resistance: 100mΩ Contact material: AgSnO2 Terminal pitch: 3.2mm Contact plating: gold-plated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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JSL-D24N-K | FUJITSU |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 24V DC Contact current max.: 8A AC contacts rating @R: 8A / 250V AC DC contacts rating @R: 8A / 24V DC Mounting: PCB Relay series: JSL Relay variant: bistable; miniature Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC Operate time: 10ms Release time: 10ms Operating temperature: -40...70°C Contact material: AgSnO2 Coil resistance: 1.2kΩ Terminal pitch: 3.2mm Design: two coils Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD4NK50Z-1 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD4NK60ZT4 | ST |
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2782 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK50Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK60ZFP | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A STP14NK60ZFP TSTP14NK60ZFP Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK50ZD | ST MICROELECTRONICS | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP4NK60Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK60ZFP | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK60ZFP | STM | MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm |
auf Bestellung 1351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP4NK80Z | ST |
N-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP4NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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0124NKR | PLCC |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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32E4NKK | SOP18 |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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59AV4NKHCT04 | TEXAS | 09+ |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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82A94NK |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AD1864N-K | AD |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AD1864NK | AD |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ADSP-2184NKCA-320 | AD |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ADSP-2184NKST-320 | AD | 04+ QFP |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ADSP2184NKST-320 | ADI | QFP |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ADSP2184NKST320 | ADSP |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BN1F4NK277L |
auf Bestellung 1652 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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D4NK50Z | ST | 05+ |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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EP2S30F4I4NK | ALTERA | BGA |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HM324NKN-E | NDK |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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JS24N-K; (24VDC); 10A 250VAC/24VDC; 2350 Ohm; 1гр.пер (SPDT); 29x10x12,5мм; 5 контактов; TAKAMISAWA |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LQH31HN54NK01L | 1206L |
auf Bestellung 5944 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LQH31HN54NK03L/3216-54N | MURATA |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LQN1A84NK04M | MURATA | 2006 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LQN2A74NK | MURATA |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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LQP11A14NK04M00-01 |
auf Bestellung 23803 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P14NK50Z |
auf Bestellung 12220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P14NK50ZFP |
auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P14NK60Z | ST | 09+ |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P4NK50ZI | ST | 2002 TO-220 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P4NK602FP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P4NK60ZFP |
auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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P4NK60ZFP(STP4NK60ZF |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STB14NK50Z-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STB14NK50Z-1 | ST | TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STB14NK60 | ST | TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STB14NK60 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STB14NK60Z | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
JS-24N-K Produktcode: 52789 |
Hersteller: Fujitsu Takamisawa
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 24V; I-komm: 8А; -40C...+85°C
Abmessungen: 29х10х12,5mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max: 8 A
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 24V; I-komm: 8А; -40C...+85°C
Abmessungen: 29х10х12,5mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max: 8 A
auf Bestellung 40 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)STP14NK50ZFP Produktcode: 2275 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 18 Stück
5 Stück - stock Köln
13 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
13 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
STP14NK60ZFP Produktcode: 901 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 12
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 25 Stück
4 Stück - stock Köln
21 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
21 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
100 Stück
100 Stück - erwartet 19.10.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.56 EUR |
10+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1 EUR |
STP4NK60Z Produktcode: 2561 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 46 Stück
15 Stück - stock Köln
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
31 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
STP4NK60ZFP Produktcode: 3364 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 340 Stück
50 Stück - stock Köln
290 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
290 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
STW14NK50Z Produktcode: 3300 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 40 Stück
6 Stück - stock Köln
34 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
34 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 6 EUR |
10+ | 5.1 EUR |
USBB-SP (USB-B1S01M-0N4N)(KLS1-184) Produktcode: 22487 |
Hersteller: CZT
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: Stecker USB Typ B auf Kabel, für löten, Typ 1, Gold Flash
Typ: USB
Stecker/Steckdose: Stecker
№ 5: на кабель
Орієнтація в просторі: Прямий
8536 69 90 90
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: Stecker USB Typ B auf Kabel, für löten, Typ 1, Gold Flash
Typ: USB
Stecker/Steckdose: Stecker
№ 5: на кабель
Орієнтація в просторі: Прямий
8536 69 90 90
auf Bestellung 451 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.2 EUR |
10+ | 0.16 EUR |
100+ | 0.099 EUR |
1000+ | 0.079 EUR |
JS-24N-K |
Hersteller: FUJITSU
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Relay series: JS
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 2.35kΩ
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 56.6V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 245mW
Operating temperature: -40...85°C
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Relay series: JS
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 2.35kΩ
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 56.6V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 245mW
Operating temperature: -40...85°C
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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37+ | 1.94 EUR |
40+ | 1.83 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.29 EUR |
JSL-D24N-K |
Hersteller: FUJITSU
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Mounting: PCB
Relay series: JSL
Relay variant: bistable; miniature
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Operate time: 10ms
Release time: 10ms
Operating temperature: -40...70°C
Contact material: AgSnO2
Coil resistance: 1.2kΩ
Terminal pitch: 3.2mm
Design: two coils
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Mounting: PCB
Relay series: JSL
Relay variant: bistable; miniature
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Operate time: 10ms
Release time: 10ms
Operating temperature: -40...70°C
Contact material: AgSnO2
Coil resistance: 1.2kΩ
Terminal pitch: 3.2mm
Design: two coils
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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17+ | 4.45 EUR |
22+ | 3.39 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
500+ | 3.09 EUR |
STD4NK50Z-1 |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 0.94 EUR |
STD4NK60Z-1 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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54+ | 1.33 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
STD4NK60ZT4 |
Hersteller: ST
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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30+ | 1.18 EUR |
STD4NK60ZT4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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70+ | 1.03 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
STD4NK80ZT4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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51+ | 1.42 EUR |
59+ | 1.21 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
STP14NK50Z |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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37+ | 1.96 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
250+ | 1.42 EUR |
STP14NK50Z |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 3.78 EUR |
STP14NK50ZFP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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31+ | 2.32 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
STP14NK60ZFP |
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A STP14NK60ZFP TSTP14NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A STP14NK60ZFP TSTP14NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 4.96 EUR |
STP14NK60ZFP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
26+ | 2.77 EUR |
29+ | 2.47 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
250+ | 1.87 EUR |
STP4NK50ZD |
Hersteller: ST MICROELECTRONICS
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 11.48 EUR |
STP4NK60Z |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.11 EUR |
STP4NK60Z |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
61+ | 1.18 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.7 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
STP4NK60ZFP |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.11 EUR |
STP4NK60ZFP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
49+ | 1.46 EUR |
500+ | 0.86 EUR |
STP4NK60ZFP |
Hersteller: STM
MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm
MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.38 EUR |
STP4NK80Z |
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 1.89 EUR |
STP4NK80Z |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
57+ | 1.26 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
250+ | 0.77 EUR |
STP4NK80ZFP |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
JS24N-K; (24VDC); 10A 250VAC/24VDC; 2350 Ohm; 1гр.пер (SPDT); 29x10x12,5мм; 5 контактов; TAKAMISAWA |
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Wählen Sie Seite:
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