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STP14NK50ZFP
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Produktcode: 2275
Hersteller: STGehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 71 Stück:
5 Stück - stock Köln
66 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
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Technische Details STP14NK50ZFP ST
- MOSFET N CH 500V 14A TO-220FP
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:6A
- On State Resistance:340mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-220FP
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
Weitere Produktangebote STP14NK50ZFP nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP14NK50ZFP | Hersteller : STMicroelectronics |
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TK12A50D(STA4,X,S) Produktcode: 184919 |
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 500 V
Idd,A: 12 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/25
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 500 V
Idd,A: 12 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/25
JHGF: THT
auf Bestellung 96 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)330uF 400V ELP 30x40mm (ELP331M2GBA-Hitano) Produktcode: 2996 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 30x40mm
Lebensdauer: 30х40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 30x40mm
Lebensdauer: 30х40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11 Stück
erwartet:
100 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.64 EUR |
10+ | 3.16 EUR |
100+ | 2.71 EUR |
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 158 Stück
erwartet:
2050 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.79 EUR |
IR2103S Produktcode: 22633 |
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Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 680/150
Bemerkung: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 680/150
Bemerkung: Halbbrücke
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 11081 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 700 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |