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STW15NK90Z VBsemi
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Produktcode: 198553
Hersteller: VBsemiUds,V: 900 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
JHGF: THT
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details STW15NK90Z VBsemi
- MOSFET N CH 900V 15A TO-247
- Transistor Polarity:N Channel
- On State Resistance:400mohm
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:7.5A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Power MOSFET
- Typ Voltage Vds:900V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote STW15NK90Z nach Preis ab 3.73 EUR bis 12.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9.5A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 13520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW15NK90Z | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW15NK90Z Produktcode: 42480 |
Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 900 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0.55 Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STW15NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
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IRFR120NPBF Produktcode: 73992 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 95 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)FGH60N60SFDTU Produktcode: 71883 |
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Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 28 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.7 EUR |
BSS138W Produktcode: 49988 |
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323-3
Uds,V: 50
Idd,A: 01.02.2000
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-323-3
Uds,V: 50
Idd,A: 01.02.2000
Rds(on), Ohm: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 103268 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.08 EUR |
10+ | 0.072 EUR |
100+ | 0.06 EUR |
1000+ | 0.039 EUR |
BSS123LT1G Produktcode: 42430 |
![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar: 2923 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.034 EUR |
100+ | 0.025 EUR |
1.5KE400A Produktcode: 23557 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 5 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 537 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 120 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.25 EUR |
100+ | 0.22 EUR |