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FGH60N60SFDTU

FGH60N60SFDTU FAIR/ON

fgh60n60sfd-datasheet.pdf
Produktcode: 71883
Hersteller: FAIR/ON
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 57 Stück:
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh60n60sfd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : ON Semiconductor 3656005377126415fgh60n60sfd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : onsemi fgh60n60sfd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Hersteller : onsemi / Fairchild FGH60N60SFD_D-2313276.pdf IGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
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FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 48 Stück:
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Produktcode: 1577		 SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 9634 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.048 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 12115 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
Digitalvoltmeter (4,5-30V)
Produktcode: 110098
Digitalvoltmeter (4,5-30V)
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Digitalvoltmeter einbaubar, Messbereich 4,5-30V
Призначення: Вимірювання вольтметр
Тип виробу: Готовий модуль
auf Bestellung 740 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 21.07.2024
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g
Produktcode: 15924		 description cynel.pdf
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Draht Lötmaterial Sn-60% Pb-40% 1,00mm 0,1kg.
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 1mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 1374 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 395 Stück:
390 Stück - erwartet 26.07.2024
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