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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar 150 Stück:
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Möglichen Substitutionen MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829 		Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 712 Stück:
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829 		Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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5103+0.03 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.022 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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5103+0.03 EUR
9000+ 0.025 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39050 Stücke:
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MMBT5551 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587 		Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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3000+0.032 EUR
6000+ 0.029 EUR
9000+ 0.027 EUR
15000+ 0.025 EUR
21000+ 0.024 EUR
30000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 39050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1775+0.041 EUR
2950+ 0.024 EUR
3275+ 0.022 EUR
4275+ 0.017 EUR
4550+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 1775
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 39050 Stücke:
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1775+0.041 EUR
2950+ 0.024 EUR
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4275+ 0.017 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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8435+0.065 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8435+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 21926 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
18+0.16 EUR
29+ 0.099 EUR
100+ 0.067 EUR
500+ 0.051 EUR
1000+ 0.046 EUR
3000+ 0.033 EUR
9000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
112+0.16 EUR
209+ 0.084 EUR
310+ 0.057 EUR
500+ 0.043 EUR
1000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
112+0.16 EUR
218+ 0.081 EUR
325+ 0.054 EUR
500+ 0.041 EUR
1000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
112+0.16 EUR
179+ 0.099 EUR
266+ 0.066 EUR
500+ 0.05 EUR
1000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
112+0.16 EUR
209+ 0.084 EUR
310+ 0.057 EUR
500+ 0.043 EUR
1000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 112
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+92.27 EUR
100+ 76.89 EUR
1000+ 61.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 15996000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9434+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6135+0.025 EUR
60000+ 0.019 EUR
300000+ 0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 6135
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : LGE mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : AnBon mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 3992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT5401
Produktcode: 160586		 mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 2057 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4007-SMD M7 DO214AC
Produktcode: 73458		 K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 2187 Stück
1980 Stück - stock Köln
207 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 15000 Stück
15000 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.017 EUR
1000+ 0.011 EUR
LL4148
Produktcode: 2413		 FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 10765 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 80000 Stück:
80000 Stück - erwartet 23.11.2024
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Produktcode: 2430		 EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2615 Stück
986 Stück - stock Köln
1629 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20000 Stück
20000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.03 EUR
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 15969		 ECR_081225.pdf
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 213 Stück
5 Stück - stock Köln
208 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.13 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.77 EUR
1000+ 0.7 EUR