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MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Produktcode: 200829
Hersteller: Jingdao
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1377 Stück:
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153 		Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38925 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5103+0.031 EUR
12000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5103
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.033 EUR
6000+ 0.031 EUR
9000+ 0.027 EUR
30000+ 0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4740+0.033 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.024 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4740
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4762+0.033 EUR
9000+ 0.026 EUR
24000+ 0.024 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4762
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 38925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1625+0.044 EUR
2725+ 0.026 EUR
3050+ 0.024 EUR
3950+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 38925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1625+0.044 EUR
2725+ 0.026 EUR
3050+ 0.024 EUR
3950+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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8435+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 504000 Stücke:
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12000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.19 EUR
132+ 0.13 EUR
242+ 0.073 EUR
500+ 0.057 EUR
1000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.19 EUR
132+ 0.13 EUR
242+ 0.073 EUR
500+ 0.057 EUR
1000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.21 EUR
21+ 0.14 EUR
100+ 0.09 EUR
500+ 0.07 EUR
1000+ 0.049 EUR
3000+ 0.037 EUR
9000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 5751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.23 EUR
107+ 0.17 EUR
198+ 0.089 EUR
500+ 0.07 EUR
1000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+92.57 EUR
100+ 77.14 EUR
1000+ 61.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 11391000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9434+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : AnBon mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
MMBT5551 Hersteller : ONS mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.17 EUR
10+ 0.15 EUR
100+ 0.14 EUR
MMBT5551/G1 Hersteller : MOTO
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551G1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551-G1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551(G1)
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551 G1 Hersteller : N/A SOT-23 05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : LGE mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 3992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587 		Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT5401
Produktcode: 160586		 mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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BZV55-C5V1
Produktcode: 4297		 BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 4925 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR
1000+ 0.018 EUR
Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144388
Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1150 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.09.2024
4,7 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-4K7R – Hitano)
Produktcode: 175671		 mfr_series-hitano-datasheet.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-4K7R – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
Typ: 6х2,3 mm; Dвив=0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 4390 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet
2N5401
Produktcode: 177484		 2n5400.pdf LUMIMAX2N5401.PDF 2N5400-01.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1512 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)