![MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G](/img/sot-23.jpg)
MMBT2907ALT1G ON
verfügbar 558 Stück:
150 Stück - stock Köln
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.036 EUR |
100+ | 0.034 EUR |
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen MMBT2907ALT1G ON
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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PMBT2907A Produktcode: 22304 |
Hersteller : NXP |
![]() Gehäuse: SOT-23 fT: 200 MHz U, V: 60 U, V: 60 I, А: 0.6 h21,max: 100 |
auf Bestellung 2368 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT2907A Produktcode: 160581 |
Hersteller : Yangjie |
![]() Gehäuse: SOT-23 fT: 200 MHz U, V: 60 V U, V: 60 V I, А: 0,6 A h21,max: 300 |
auf Bestellung 1501 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote MMBT2907ALT1G nach Preis ab 0.016 EUR bis 0.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 378000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 159000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6623 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 6623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 57312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 58009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 159508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 159508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 160747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT1G | Hersteller : On Semiconductor |
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auf Bestellung 2810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222A Produktcode: 160580 |
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 800 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1250 Stück:
1250 Stück - erwartet1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 17832 |
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 32589 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0048 EUR |
100+ | 0.004 EUR |
1000+ | 0.0034 EUR |
MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 35896 |
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1035 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.02 EUR |
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 12115 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
SS14 Produktcode: 1577 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 9634 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.048 EUR |
100+ | 0.022 EUR |
1000+ | 0.018 EUR |