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MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN)

MMBT2222ALT1G (Bipolartransistor NPN) ON

Produktcode: 35896
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,6
ZCODE: SMD
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MMBT2222 (Bipolartransistor NPN) MMBT2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 12976 		Hersteller : NXP MMBT2222.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,6
h21: 300
ZCODE: 8541290090
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MMBT2222A MMBT2222A
Produktcode: 160580 		Hersteller : Yangjie mmbt2222a-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 4348
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4740+ 0.032 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.043 EUR
6000+ 0.041 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
455+0.16 EUR
610+ 0.12 EUR
930+ 0.077 EUR
1124+ 0.064 EUR
1701+ 0.042 EUR
1993+ 0.036 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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455+0.16 EUR
610+ 0.12 EUR
930+ 0.077 EUR
1124+ 0.064 EUR
1701+ 0.042 EUR
1993+ 0.036 EUR
3462+ 0.02 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi MMBT2222LT1_D-2315981.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
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24000+ 0.026 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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100+ 0.18 EUR
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 4078632.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 755831 Stücke:
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ONSEMI 2353900.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2222ALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBT2222ALT1G; MMBT2222A-7-F; MMBT2222A RFG; MMBT2222A,215; MMBT22 MMBT2222ALT1G TMMBT2222alt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT2222ALT1G Hersteller : ONS mmbt2222lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=40V; Ic=1A; f=300MHz; Pdmax=0,35W
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10+ 0.086 EUR
100+ 0.079 EUR
MMBT2222ALT1G Hersteller : ON SEMICONDUCTOR mmbt2222lt1-d.pdf Транзистор ключевой 40 В NPN SOT-23
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Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
MMBT2222ALT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT2907A
Produktcode: 22304		 description PMBT2907, A.pdf
PMBT2907A
Hersteller: NXP
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Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 100
auf Bestellung 2368 Stück:
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10+ 0.06 EUR
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 17832		 rc_series_20150401_1.pdf
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 32589 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MMBT2907ALT1G
Produktcode: 25960		 MMBT2907ALT1-D.PDF
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 60
U, V: 60
I, А: 0.6
h21,max: 300
verfügbar: 558 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.034 EUR
NE555P IC Timer
Produktcode: 26138		 description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2107 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.12 EUR
L7812CV
Produktcode: 29158		 description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 1518 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.24 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.14 EUR