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IRLR3410PBF

IRLR3410PBF

irlr3410-datasheet.pdf
Produktcode: 105980
Hersteller: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR3410PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.105ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
  • Power Dissipation:79W
  • Power Dissipation Pd:79W
  • Pulse Current Idm:60A
  • SMD Marking:IRLR3410
  • Voltage Vds:100V
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLR3410PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 17 А; Ptot, Вт = 79; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 5 В; Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; D-PAK
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100+ 1.04 EUR
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-1732952.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 4844 Stück
erwartet: 8000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.022 EUR
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