IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
Hersteller: IRGehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 3976 Stück:
6 Stück - stock Köln
3970 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
Produktrezensionen
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Technische Details IRLR2905TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRLR2905 Produktcode: 30677 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 JHGF: SMD |
verfügbar: 1074 Stück
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683 |
Hersteller : Китай |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 JHGF: SMD |
auf Bestellung 2 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRLR2905TRPBF nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683 |
Hersteller : Китай |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 JHGF: SMD |
auf Bestellung 2 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2905TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IRLR2905Z Produktcode: 4031 |
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3689 |
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 17129 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.005 EUR |
| 100+ | 0.0034 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |
| 100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 4604 |
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 37855 Stück
erwartet:
20000 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 0.005 EUR |
| 100+ | 0.0034 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |
| 10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544 |
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Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 116146 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| 1,0uF 25V X7R 10% 0805 (CL21B105KAFNNNE – Samsung) Produktcode: 108063 |
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 26103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)