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IRLR2905TRPBF Китай

Name: IRLR2905
Brand: IR
SKU: 30677
Price: 0.44 EUR
Availability: InStock

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679

Produktcode: 181683

Hersteller: Китай
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD

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Technische Details IRLR2905TRPBF Китай

MOSFET
Transistor Polarity:N Channel
Continuous Drain Current, Id:36A
Drain Source Voltage, Vds:55V
On Resistance, Rds(on):40mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
Power Dissipation, Pd:110W

Möglichen Substitutionen IRLR2905TRPBF Китай

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Bezeichnung

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Beschreibung

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IRLR2905
Produktcode: 30677

Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD

verfügbar: 1064 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.48 EUR
10+	0.44 EUR

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IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018

Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 3976 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.5 EUR
10+	0.45 EUR

IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Anzahl	Preis ohne MwSt
2000+	0.77 EUR
4000+	0.68 EUR
10000+	0.65 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2000+	0.9 EUR
4000+	0.79 EUR
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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2000+	0.9 EUR
4000+	0.79 EUR
10000+	0.74 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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175+	0.86 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.64 EUR
4000+	0.56 EUR
10000+	0.53 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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4000+	0.86 EUR
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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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147+	1.07 EUR
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175+	0.83 EUR
500+	0.75 EUR
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2000+	0.61 EUR
4000+	0.54 EUR
10000+	0.53 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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120+	1.3 EUR
141+	1.07 EUR
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200+	0.81 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR
2000+	0.59 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLR2905_DataSheet_v01_01_EN-3363438.pdf

MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC

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2+	2.22 EUR
10+	1.7 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.01 EUR
2000+	0.95 EUR
4000+	0.89 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

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Anzahl	Preis ohne MwSt
25+	2.86 EUR

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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Anzahl	Preis ohne MwSt
25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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IRLR2905TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR024NTRPBF
Produktcode: 22061

irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 4406 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.26 EUR
10+	0.23 EUR

Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g
Produktcode: 99859

Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий

auf Bestellung 1762 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 1200 Stück:

1200 Stück - erwartet 26.07.2024

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1.2 EUR
10+	1.08 EUR
100+	1 EUR

IRLU2905Z
Produktcode: 182753

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT

erwartet: 40 Stück

1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3314

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

auf Bestellung 36006 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.0042 EUR
100+	0.0036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10

0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82)
Produktcode: 3269

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,82 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-

verfügbar: 223 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.1 EUR
10+	0.09 EUR
100+	0.08 EUR