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IRFB3307ZPBF

Name: IRFB3307ZPBF
Brand: IR
SKU: 37782
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 37782

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf

MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB3307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFB3307ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRFB3077PBF
Produktcode: 104275

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

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Leisto 900M-T-K (жало медное для паяльника)
Produktcode: 153143

Hersteller: Leisto
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Aufsätze, Lötspitzen
Kategorie: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях
Beschreibung: Жало "ніж" (45 °, 15мм, діаметр 5мм, товщина: 2 мм), мідне
Тип жала: 900M-T
№ 4: Ніж
Розмір кінчика жала: 5 mm

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erwartet 300 Stück:

100 Stück - erwartet
200 Stück - erwartet 05.09.2024

IRFB7434PBF
Produktcode: 171783

Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
JHGF: THT

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Silicone-16AWG (1.3mm2-252/0.08TS) ROT
Produktcode: 181957

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 1,3mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~3мм, робоча температура: -50...200°C.

verfügbar: 255 m

Silicone-16AWG (1.3mm2-252/0.08TS) SCHWARZ
Produktcode: 181958

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 1,3mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~3мм, робоча температура: -50...200°C.

verfügbar: 271 m