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IRFB3077PBF

Name: IRFB3077PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 74583-5
Price: 2.79 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 104275

Hersteller: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

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Technische Details IRFB3077PBF IR

MOSFET, N, 75V, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:75V
Cont Current Id:210A
On State Resistance:3.3ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas:240mJ
Cont Current Id @ 100`C:150A
Cont Current Id @ 25`C:210A
Max Voltage Vds:75V
Power Dissipation Pd:370W
Pulse Current Idm:850A
Rds Measurement Voltage:10V
Typ Capacitance Ciss:9400pF
Voltage Vds:75V
Rth:0.4
Transistor Case Style:TO-220AB

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfb3077-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFB3077PBF

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFB3077_DataSheet_v01_01_EN-3363293.pdf

MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V

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IRFB3077PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB3077PBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

TO-200AB

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IRFB3077PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623

Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний

verfügbar: 1699 Stück

erwartet: 3000 Stück

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IRFB3307ZPBF
Produktcode: 37782

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
JHGF: THT

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10+	1.12 EUR

FLRY-B0.35-BK
Produktcode: 63034

Hersteller: BQ Cable
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Kabel
Розріз, мм.кв: Draht mehrdrahtig Kupfer 0.35mm, schwarz
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: мідь
Ізоляція (матеріал): ПВХ
Колір: чорний
Опис: Монтажний провід багатожильний, матеріал оболонки: ПВХ. Номінальна напруга: 60В, зовнішній діаметр: ~1,4мм, робоча температура: -40...105°C.

erwartet: 8100 m

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100+	0.22 EUR

FLRY-B0.35-RD
Produktcode: 72945

Hersteller: BQ Cable
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Kabel
Розріз, мм.кв: Draht mehrdrahtig Kupfer 0,35mm, rot
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: мідь
Ізоляція (матеріал): ПВХ
Колір: червоний
Опис: Монтажний провід багатожильний, матеріал оболонки: ПВХ. Номінальна напруга: 60В, зовнішній діаметр: ~1,4мм, робоча температура: -40...105°C.

erwartet: 6000 m

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HCPL-3120-300E
Produktcode: 122265

Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SO-8
Typ: Драйвер затвора транзистора
U-isol, kV: 3,7 kV
Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C

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