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IRFB3306PBF

IRFB3306PBF

irfs3306pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 88656
Hersteller: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN-3363278.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFB3306PBF IRFB3306PBF Hersteller : Infineon Technologies 295irfs3306pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 9513 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 1 EUR
Ventilator 80x80x25 12V (GT2-7013 -12V)
Produktcode: 101219		 101219.jpg
Ventilator 80x80x25 12V (GT2-7013 -12V)
Hersteller: Global
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 80x80x25
Spannung, V: 12 DC
Leistung, Watt: 1.68 Вт
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.11.2024
LNK306PN Aktive elektronische - IC - IC LED-Treiber
Produktcode: 29133		 description
LNK306PN Aktive elektronische - IC - IC LED-Treiber
Hersteller: PI
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-7
Vcc, V: 6...700V
Iausg., mA: 578mA
Fosc, kHz: 66
Kanalzahl: 1
Робоча температура, °С: -40…+150°C
auf Bestellung 304 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.9 EUR
10+ 2.5 EUR
IRFB3206PBF
Produktcode: 34412		 irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
auf Bestellung 77 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
200 Stück - erwartet 05.10.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.52 EUR
10+ 1.44 EUR
IRFB3077PBF
Produktcode: 104275		 description irfb3077pbf-datasheet.pdf
IRFB3077PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 22.09.2024