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IRF820

IRF820

IRF820.pdf
Produktcode: 17799
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
verfügbar 19 Stück:
12 Stück - stock Köln
7 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Technische Details IRF820 IR

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF820 Hersteller : Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
503+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 503
IRF820 Hersteller : Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF820 Hersteller : ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRF820 IRF820 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001545.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
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IRF820 IRF820 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF820PBF
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Rds(on), Ohm: 01.03.2000
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Produktcode: 22377
Sicherung 5x20mm 2A 250V (50F-020H)
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Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 2A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 2A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 14927 Stück
erwartet: 1000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.05 EUR
10+ 0.035 EUR
100+ 0.025 EUR
100uH 10% (RLB0912-101KL Bourns)
Produktcode: 77043
Hersteller: Bourns
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 100 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 100uH±10% Ток: 660 mA. Stromresistenz: 330 mOh. Eigenschwingungsfrequenz: 7.2 MHz.
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: Länge: 8.7 mm. Höhe: 0.65 mm. Durchmesser: 8.7 mm.
Робочий струм, А: 0,66 A
Produkt ist nicht verfügbar
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Produktcode: 89528		 d2ub100.pdf
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D3K
Urew: 1000V
I dir: 2A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 35 A
auf Bestellung 455 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
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