IRF630NPBF
Produktcode: 15961
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
verfügbar 146 Stück:
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144 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRF630NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.3ohm
- Power Dissipation:82W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:9.3A
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation Pd:82W
- Pulse Current Idm:37A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF630NPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF630NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 130380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC |
auf Bestellung 3059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 130394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 130394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630NPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
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Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
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verfügbar: 2107 Stück
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100+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
1N4148 Produktcode: 176824 |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
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auf Bestellung 13906 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 15969 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 38 Stück
erwartet:
200 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.13 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
LM358P Produktcode: 24924 |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
verfügbar: 389 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.15 EUR |
KBL410 Produktcode: 111370 |
Hersteller: Yangjie/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
auf Bestellung 1181 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)