IRF7901D1-TR
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Technische Details IRF7901D1-TR
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF7901D1TR | Hersteller : IOR |
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IRF7901D1TR | Hersteller : Infineon Technologies |
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