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IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF


irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Produktcode: 30646
Hersteller:
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
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4000+1.12 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
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2000+ 1.12 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRF7832TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 209 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.38 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.31 EUR
IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
description irf7201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
IRF7201TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 3125 Stück:
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22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Produktcode: 128028
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0603
auf Bestellung 3382 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BZV55-C9V1
Produktcode: 1362
BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 19110 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR
1000+ 0.027 EUR
BZV55-C12
Produktcode: 1357
BZV55.pdf
BZV55-C12
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 689 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.023 EUR