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IRF7832TRPBF
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Technische Details IRF7832TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:20A
- Package/Case:8-SOIC
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
- Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm
Weitere Produktangebote IRF7832TRPBF nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
auf Bestellung 37324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF7416TRPBF Produktcode: 25625 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 209 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
100+ | 0.31 EUR |
IRF7201TRPBF Produktcode: 42753 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 3125 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)22uF 6,3V X5R 20% 0603 (CL10A226MQ8NRNC – Samsung) Produktcode: 128028 |
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0603
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Größentyp: 0603
auf Bestellung 3382 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)BZV55-C9V1 Produktcode: 1362 |
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 19110 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.028 EUR |
1000+ | 0.027 EUR |
BZV55-C12 Produktcode: 1357 |
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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 689 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.023 EUR |