IRF7201TRPBF

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Produktcode: 42753

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD

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Technische Details IRF7201TRPBF IR

Analogon IRF7201TRPBF IR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IRF7201PBF Produktcode: 24055	Hersteller : IR	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 07.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 JHGF: SMD	verfügbar: 99 Stück einschränken entfalten 20 Stück - stock Köln 79 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 0.36 EUR 10+  0.34 EUR kaufen

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	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC	auf Bestellung 10655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 1.33 EUR 10+  1 EUR 100+  0.7 EUR 500+  0.62 EUR 1000+  0.57 EUR 4000+  0.49 EUR 24000+  0.48 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER	MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC	auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 17.33 EUR kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRF7201TRPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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1000uF 63V ELP 22x25mm (ELP102M63BA-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2375

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x25mm
Lebensdauer: 22х25mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

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IRF7416TRPBF Produktcode: 25625

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD

verfügbar: 209 Stück

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10+	0.36 EUR
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IRF7832TRPBF Produktcode: 30646

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
JHGF: SMD

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IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 1642 Stück

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60 Stück - stock Köln
1582 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.09 EUR
10+	0.08 EUR

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47uF 6,3V 1206 X5R 20% CL31A476MQHNNNE Samsung Produktcode: 123208

Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±20% M
Gro?entyp: 1206

auf Bestellung 1873 Stück:

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