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IRF7301PBF

IRF7301PBF

IRF7301PBF.pdf
Produktcode: 22639
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7301PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:4.3A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:17A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7301
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7301PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
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IRF7301PBF Hersteller : IR irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
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IRF7301PBF IRF7301PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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IRF7301PBF IRF7301PBF Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF7301_DataSheet_v01_01_EN-1228266.pdf MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
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IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 100
Temperaturbereich: -40…+85°C
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Гніздо або штекер: Гніздо (вилка всередині)
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.25
Gebr.: 2P
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auf Bestellung 89 Stück:
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