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IRF7104PBF

IRF7104PBF

irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Produktcode: 23932
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.25
Gebr.: 2P
/: SMD
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Technische Details IRF7104PBF IR

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:PP
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:2.3A
  • On State Resistance:0.025ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Transistors:2
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:2.0W
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7104PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF7104PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
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IRF7104PBF IRF7104PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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