IRF630 STMicroelectronics
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Technische Details IRF630 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Möglichen Substitutionen IRF630 STMicroelectronics
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF630NPBF Produktcode: 15961 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 09.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 JHGF: THT |
verfügbar: 146 Stück
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Weitere Produktangebote IRF630 nach Preis ab 0.64 EUR bis 4.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF630 | Hersteller : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 22729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MESH OVERLAY™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp |
auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : ST MICROELECTRONICS | N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF630 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF630 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF630 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF630PBF |
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IRF630 | Hersteller : NXP Semiconductors | MOSFET |
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IRF630 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET |
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IRF630 Produktcode: 3058 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 200 Idd,A: 9 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 600/19 JHGF: THT |
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