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IRF5210PBF

IRF5210PBF

irf5210pbf-221443.pdf
Produktcode: 113380
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN-3363195.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF5210PBF IRF5210PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5210PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
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10+ 1.79 EUR
100+ 1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRF5210PBF Hersteller : Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 490 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.13 EUR
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 64401 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 Stück:
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 11036 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR
IRF9540NPBF
Produktcode: 31944		 irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
verfügbar: 381 Stück
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10+ 0.52 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 description
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
Produkt ist nicht verfügbar