IRF520NPBF
Produktcode: 55824
Hersteller: Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 29884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 11343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC |
auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 11343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 88556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF520NPBF | Hersteller : IR |
Транз. Пол. N-канал, TO-220, 9.7 А, 100 В, 48 Вт |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5551 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 31024 |
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.06 EUR |
| 10+ | 0.045 EUR |
| Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144385 |
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1172 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.11.2024| Макетная плата 4x6 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144387 |
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 40x60мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 280 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 40x60мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 280 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1436 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.11.2024| IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix) Produktcode: 156292 |
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| 1N4007 Produktcode: 176822 |
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 44765 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 6000 Stück: