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IRF3808PBF
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Produktcode: 33009
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
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Technische Details IRF3808PBF IR
- MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:75V
- Cont Current Id:140A
- On State Resistance:0.007ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
- Max Voltage Vds:75V
- On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
- Power Dissipation:330W
- Power Dissipation Pd:330W
- Pulse Current Idm:550A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF3808PBF nach Preis ab 1.57 EUR bis 4.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 170000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3808/PBF | Hersteller : IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3808PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Mit diesem Produkt kaufen
PC817A Produktcode: 18418 |
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Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 4306 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.25 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.088 EUR |
IRF1407PBF Produktcode: 24062 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 130 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.04 EUR |
IRF1405PBF Produktcode: 27155 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
10+ | 1.54 EUR |
STP100N6F7 Produktcode: 113452 |
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
auf Bestellung 29 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)47uF 63V ECR 8x12mm (ECR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2966 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 7949 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.08 EUR |
10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.028 EUR |
1000+ | 0.025 EUR |