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IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

irf3205z.pdf
Produktcode: 34997
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
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Technische Details IRF3205ZPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:110A
  • On State Resistance:0.0065ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
  • Power Dissipation:170W
  • Power Dissipation Pd:170W
  • Pulse Current Idm:440A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3205z.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094		 description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 11096 Stück:
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Produktcode: 35403		 irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1082 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.32 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.27 EUR
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526		 RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 4474 Stück
erwartet: 40000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Produktcode: 100479		 kls-01140h-x-datasheet.pdf
Schrumpfschlauch 14mm grün (Schrumpfbereich 14,0mm) KLS8-01140-HT-14.0-G
Hersteller: KLS
Isoliermaterialien
Gruppe: Schrumpfrohre
Beschreibung: Schrumpfrohr, Durchmesser.vor/nach Schrumpfung: 14/7mm; Farbe:GRÜN ; Kompressiontemperatur +90°С; Betriebstemperatur. -55…+125°С; Radialkompressions >50%, Längskompression <5%; dielektrische Festigkeit >25kV/mm, Material: Polyolefin.
Größe: Durchmesser. 14,0mm
verfügbar: 58 m
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366		 irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 496 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 1.13 EUR