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IRF2807PBF

Name: IRF2807PBF
Brand: IR
SKU: 88517
Price: 0.76 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 88517

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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36+	2.03 EUR
38+	1.9 EUR
44+	1.63 EUR
73+	0.99 EUR
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IRF2807PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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38+	1.9 EUR
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73+	0.99 EUR
77+	0.93 EUR

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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85+	1.74 EUR
105+	1.36 EUR
250+	1.1 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.99 EUR
2000+	0.91 EUR
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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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57+	2.71 EUR
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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf

MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC

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250+	1.8 EUR
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1000+	1.42 EUR
2000+	1.35 EUR

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V

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50+	2.38 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.41 EUR

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IRF2807PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

IRF2807PBF Транзисторы HEXFET

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IRF2807PBF

Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS

IRSDS10351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2807PBF - IRF2807 - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12597 Stücke:

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2429

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 643 Stück

443 Stück - stock Köln
200 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 250 Stück

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10+	0.12 EUR
100+	0.08 EUR

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289

f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf

IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT

verfügbar: 2158 Stück

49 Stück - stock Köln
2109 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.88 EUR
10+	0.79 EUR

470uF 25V EXR 10x16mm (EXR471M25B-Hitano)
Produktcode: 3481

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 5770 Stück

463 Stück - stock Köln
5307 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 150 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.26 EUR
10+	0.22 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.076 EUR

BZX84-C18
Produktcode: 9995

Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K

Produkt ist nicht verfügbar