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IRF2807PBF

Name: IRF2807PBF
Brand: IR
SKU: 88517
Price: 0.88 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 88517

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 82
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
JHGF: THT

verfügbar 31 Stück:

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 125 Stücke:

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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382+	1.52 EUR
500+	1.40 EUR

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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382+	1.52 EUR
500+	1.40 EUR
1000+	1.28 EUR

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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70+	2.21 EUR
77+	1.94 EUR
100+	1.52 EUR
200+	1.37 EUR
1000+	1.16 EUR

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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1000+	1.15 EUR
2000+	1.02 EUR
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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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29+	2.52 EUR
46+	1.56 EUR
72+	1.00 EUR
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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V

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Anzahl	Preis
5+	3.52 EUR
50+	2.20 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF2807_DataSheet_v01_01_EN-3362869.pdf

MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC

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10+	2.08 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.31 EUR

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IRF2807PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 102 Stücke:

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

IRF2807PBF Транзисторы HEXFET

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF2807PBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRF2807PBF

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
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1000uF 10V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR102M10BA-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 2242 Stück

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2000 Stück - erwartet

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IRF4905PBF
Produktcode: 22366

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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT

auf Bestellung 404 Stück:

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erwartet 2000 Stück:

2000 Stück - erwartet 21.03.2025

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10+	1.13 EUR

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Sicherung 5x20mm 10A 250V (50F-100H)
Produktcode: 22669

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Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 10A 250V 5x20mm F
Nennstrom, А: 10A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий

verfügbar: 1999 Stück

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erwartet: 10450 Stück

10000 Stück - erwartet 29.06.2025
450 Stück - erwartet

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