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1N5408-G

1N5408-G Comchip Technology

QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Technische Details 1N5408-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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1250+0.18 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 6250 Stücke:
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1250+0.18 EUR
2500+ 0.17 EUR
6250+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
1N5408G 1N5408G Hersteller : EIC 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 10000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 1192 Stücke:
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553+ 0.27 EUR
597+ 0.24 EUR
1000+ 0.14 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A
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6+0.48 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 20355 Stücke:
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38+0.48 EUR
48+ 0.37 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.2 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
auf Bestellung 16800 Stücke:
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6000+0.59 EUR
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14400+ 0.48 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 1192 Stücke:
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257+0.6 EUR
383+ 0.39 EUR
553+ 0.26 EUR
597+ 0.23 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
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5+0.62 EUR
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100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1250+ 0.18 EUR
2500+ 0.16 EUR
10000+ 0.14 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 15737 Stücke:
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28+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 28
1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Mounting: THT
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 50µA
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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114+0.63 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Mounting: THT
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 50µA
Type of diode: switching
auf Bestellung 114 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 114
1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 1000V 3A Standard
auf Bestellung 41143 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.64 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.3 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
7500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.7 EUR
29+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25
1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.72 EUR
35+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25
1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5408
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5408G 1N5408G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tape
Type of diode: rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO27
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tape
Type of diode: rectifying
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